服务范围
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块
检测标准
l GJB548B-2005微电子器件试验⽅法和程序
l GJB8897-2017军用电子元器件失效分析要求与⽅法
l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
检测项目
| 试验类型 | 试验项⽬ |
| ⽆损分析 | X 射线透视、声学扫描显微镜、⾦相显微镜 |
| 电特性/电性定位分析 | 电参数测试、IV&CV 曲线量测、ESD、PhotonEmission、OBIRCH、ATE 测试与三温(常温/低温/高温) 验证 |
| 破坏性分析 | 开封、去层、切片、芯片级切片、推拉力测试 |
| 微观显微分析 | DBFIB切片截⾯分析、FESEM 检查、EDS微区元素分析、扫描电镜、透射电镜 |
相关资质
CNAS
服务背景
受益于国产替代趋势，国内功率器件厂商迎来了空前的发展机会。在成长中厂商迫切希望减少或消除产品失效，并在设计、⼯艺和产品研发、量产、可靠性测试、封装等阶段进⾏改进。
我们的优势
广电计量拥有业内认可的专家团队及先进的失效分析设备，专注功率器件失效根因分析，可为客户提供完整的失效根因分析服务，针对产品的研发设计、来料检验、加⼯组装、测试筛选、客户端使用等各个环节，为客户提供失效分析咨询、协助客户开展设计规划、以及分析测试服务。
