服务背景
IC作为重要的车载元器件部件,是AEC委员会持续关注的重点领域。AEC-Q100对IC的可靠性测试可细分为加速环境应力可靠性、加速寿命模拟可靠性、封装可靠性、晶圆制程可靠性、电学参数验证、缺陷筛查、包装完整性试验,且需要根据器件所能承受的温度等级选择测试条件。需要注意的是,第三方难以独立完成AEC-Q100的验证,需要晶圆供应商、封测厂配合完成,这更加考验对认证试验的整体把控能力。广电计量将根据客户的要求,依据标准对客户的IC进行评估,出具合理的认证方案,从而助力IC的可靠性认证。
广电计量失效分析实验室AEC-Q技术团队,执行过大量的AEC-Q测试案例,积累了丰富的认证试验经验,可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。AEC-Q100认证试验,IC可靠性认证
产品范围
集成电路(IC)
测试周期
3-4个月,提供全面的认证计划、测试等服务
测试项目
序号 | 测试项目 | 缩写 | 样品数/批 | 批数 | 测试方法 |
A组 加速环境应力试验 | |||||
A1 | Preconditioning | PC | 77 | 3 | J-STD-020、 |
JESD22-A113 | |||||
A2 | Temperature-Humidity-Bias | THB | 77 | 3 | JESD22-A101 |
Biased HAST | HAST | JESD22-A110 | |||
A3 | Autoclave | AC | 77 | 3 | JESD22-A102 |
Unbiased HAST | UHST | JESD22-A118 | |||
Temperature-Humidity (withoutBias) | TH | JESD22-A101 | |||
A4 | Temperature Cycling | TC | 77 | 3 | JESD22-A104、Appendix 3 |
A5 | Power Temperature Cycling | PTC | 45 | 1 | JESD22-A105 |
A6 | High Temperature Storage Life | HSTL | 45 | 1 | JESD22-A103 |
B组 加速寿命模拟试验 | |||||
B1 | High Temperature OperatingLife | HTOL | 77 | 3 | JESD22-A108 |
B2 | Early Life Failure Rate | ELFR | 800 | 3 | AEC-Q100-008 |
B3 | NVM Endurance, Data Retention, andOperational Life | EDR | 77 | 3 | AEC-Q100-005 |
C组 封装完整性测试 | |||||
C1 | Wire Bond Shear | WBS | Zui少5个器件中的30根键合线 | AEC-Q100-001、AEC-Q003 | |
C2 | Wire Bond Pull | WBP | MIL-STD883 method 2011、 | ||
AEC-Q003 | |||||
C3 | Solderability | SD | 15 | 1 | JESD22-B102或 J-STD-002D |
C4 | PhysicalDimensions | PD | 10 | 3 | JESD22-B100、 JESD22-B108 |
AEC-Q003 | |||||
C5 | Solder Ball Shear | SBS | 至少10个器件的5个键合球 | 3 | AEC-Q100-010、 |
AEC-Q003 | |||||
C6 | Lead Integrity | LI | 至少5个器件的10根引线 | 1 | JESD22-B105 |
D组 晶圆制造可靠性测试 | |||||
D1 | Electromigration | EM | / | / | / |
D2 | Time Dependent DielectricBreakdown | TDDB | / | / | / |
D3 | Hot Carrier Injection | HCI | / | / | / |
D4 | Negative Bias TemperatureInstability | NBTI | / | / | / |
D5 | Stress Migration | SM | / | / | / |
E组 电学验证测试 | |||||
E1 | Pre- and Post-StressFunction/Parameter | TEST | 所有要求做电学测试的应力试验的全部样品 | 供应商或用户规格 | |
E2 | Electrostatic Discharge Human BodyModel | HBM | 参考测试规范 | 1 | AEC-Q100-002 |
E3 | Electrostatic Discharge ChargedDevice Model | CDM | 参考测试规范 | 1 | AEC-Q100-011 |
E4 | Latch-Up | LU | 6 | 1 | AEC-Q100-004 |
E5 | ElectricalDistributions | ED | 30 | 3 | AEC Q100-009 |
AEC Q003 | |||||
E6 | Fault Grading | FG | - | - | AEC-Q100-007 |
E7 | Characterization | CHAR | - | - | AEC-Q003 |
E9 | Electromagnetic Compatibility | EMC | 1 | 1 | SAE J1752/3-辐射 |
E10 | Short Circuit Characterization | SC | 10 | 3 | AEC-Q100-012 |
E11 | Soft Error Rate | SER | 3 | 1 | JEDEC |
无加速:JESD89-1 | |||||
加速:JESD89-2或JESD89-3 | |||||
E12 | Lead (Pb) Free | LF | 参考测试规范 | 参考测试规范 | AEC-Q005 |
F组 缺陷筛选测试 | |||||
F1 | Process Average Testing | PAT | / | / | AEC-Q001 |
F2 | Statistical Bin/Yield Analysis | SBA | / | / | AEC-Q002 |
G组 密封封装完整性测试 | |||||
G1 | Mechanical Shock | MS | 15 | 1 | JESD22-B104 |
G2 | Variable Frequency Vibration | VFV | 15 | 1 | JESD22-B103 |
G3 | Constant Acceleration | CA | 15 | 1 | MIL-STD883 Method 2001 |
G4 | Gross/Fine Leak | GFL | 15 | 1 | MIL-STD883 Method 1014 |
G5 | Package Drop | DROP | 5 | 1 | / |
G6 | Lid Torque | LT | 5 | 1 | MIL-STD883 Method 2024 |
G7 | Die Shear | DS | 5 | 1 | MIL-STD883 Method 2019 |
G8 | Internal Water Vapor | IWV | 5 | 1 | MIL-STD883 Method 1018 |