服务背景
AEC-Q101对对各类半导体分立器件的车用可靠性要求进行了梳理。AEC-Q101试验不仅是对元器件可靠性的国际通用报告，更是打开车载供应链的敲门砖。广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验，为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务，我们也开展了间歇工作寿命（IOL）、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高压蒸煮（Autoclave）试验服务，设备能力完全覆盖以SiC为第三代半导体器件的可靠性试验能力。半导体器件能力试验,AEC-Q101认证试验
随着技术的进步，各类半导体功率器件开始由实验室阶段走向商业应用，尤其以SiC为代表的第三代半导体器件国产化的脚步加快。但车用分立器件市场均被国外巨头所把控，国产器件很难分一杯羹，主要的原因之一即是可靠性得不到认可。
测试周期
2-3个月，提供全面的认证计划、测试等服务
产品范围
二、三极管、晶体管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、闸流管等半导体分立器件
测试项目
| 序号 | 测试项目 | 缩写 | 样品数/批 | 批数 | 测试方法 |
| 1 | Pre- and Post-StressElectrical and Photometric Test | TEST | 所有应力试验前后均进行测试 | 用户规范或供应商的标准规范 | |
| 2 | Pre-conditioning | PC | SMD产品在7、8、9和10试验前预处理 | JESD22-A113 | |
| 3 | External Visual | EV | 每项试验前后均进行测试 | JESD22-B101 | |
| 4 | ParametricVerification | PV | 25 | 3 Note A | 用户规范 |
| 5 | HighTemperature Reverse Bias | HTRB | 77 | 3 NoteB | MIL-STD-750-1 M1038 Method A |
| 5a | ACblocking voltage | ACBV | 77 | 3 NoteB | MIL-STD-750-1 M1040 Test Condition A |
| 5b | HighTemperature Forward Bias | HTFB | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-108 |
| 5c | SteadyState Operational | SSOP | 77 | 3 NoteB | MIL-STD-750-1 M1038 Condition B（Zeners） |
| 6 | HighTemperature Gate Bias | HTGB | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-108 |
| 7 | Temperature Cycling | TC | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-104 Appendix 6 |
| 7a | Temperature Cycling Hot Test | TCHT | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-104 Appendix 6 |
| 7a alt | TCDelamination Test | TCDT | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-104 Appendix 6 J-STD-035 |
| 7b | Wire BondIntegrity | WBI | 5 | 3 NoteB | MIL-STD-750 Method 2037 |
| 8 | UnbiasedHighly Accelerated Stress Test | UHAST | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-118 |
| 8 alt | Autoclave | AC | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-102 |
| 9 | HighlyAccelerated Stress Test | HAST | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-110 |
| 9 alt | HighHumidity High Temp. Reverse Bias | H3TRB | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-101 |
| 10 | Intermittent Operational Life | IOL | 77 | 3 NoteB | MIL-STD-750 Method 1037 |
| 10 alt | Powerand Temperature Cycle | PTC | 77 | 3 NoteB | JESD22 A-105 |
| 11 | ESD Characterization | ESD | 30 HBM | 1 | AEC-Q101-001 |
| 30 CDM | 1 | AEC-Q101-005 | |||
| 12 | Destructive Physical Analysis | DPA | 2 | 1NoteB | AEC-Q101-004 Section 4 |
| 13 | Physical Dimension | PD | 30 | 1 | JESD22 B-100 |
| 14 | TerminalStrength | TS | 30 | 1 | MIL-STD-750 Method 2036 |
| 15 | Resistanceto Solvents | RTS | 30 | 1 | JESD22 B-107 |
| 16 | ConstantAcceleration | CA | 30 | 1 | MIL-STD-750 Method 2006 |
| 17 | VibrationVariable Frequency | VVF | 项目16至19是密封包装的顺序测试。 （请参阅图例页面上的注释H.） | JEDEC JESD22-B103 | |
| 18 | Mechanical Shock | MS | JEDEC JESD22-B104 | ||
| 19 | Hermeticity | HER | JESD22-A109 | ||
| 20 | Resistanceto Solder Heat | RSH | 30 | 1 | JESD22 A-111 (SMD) B-106 (PTH) |
| 21 | Solderability | SD | 10 | 1 NoteB | J-STD-002 JESD22B102 |
| 22 | Thermal Resistance | TR | 10 | 1 | JESD24-3,24-4,26-6视情况而定 |
| 23 | WireBond Strength | WBS | Zui少5个器件的10条焊线 | 1 | MIL-STD-750 Method 2037 |
| 24 | Bond Shear | BS | Zui少5个器件的10条焊线 | 1 | AEC-Q101-003 |
| 25 | DieShear | DS | 5 | 1 | MIL-STD-750 |
| Method 2017 | |||||
| 26 | Unclamped Inductive Switching | UIS | 5 | 1 | AEC-Q101-004 Section 2 |
| 27 | DielectricIntegrity | DI | 5 | 1 | AEC-Q101-004 Section 3 |
| 28 | ShortCircuit Reliability Characterization | SCR | 10 | 3 NoteB | AEC-Q101-006 |
| 29 | Lead Free | LF | AEC-Q005 | ||
