名义初品系统开发,名义初品软件开发,名义初品公众号开发目前第三代半导体材料研究重点多集中于SiC和GaN技术。随着小米氮化镓充电器的推出,GaN的热度被迅速点燃。
从GaN的发展来看,GaN在LED领域大放异彩,而时间也从上世纪90年代开始。自20世纪初以来,GaN功率器件已经逐步商业化。2010年,个GaN功率器件由IR投入市场,2014年以后,600VGaN HEMT已经成为GaN器件主流。2014年,行业在8英寸SiC上生长GaN器件。
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