金属硅检测-工业硅检测

金属硅检测（碳化硅检测） 

多晶硅检测方法，广东广分检测分析测试中心从事多硅和化合物半导体材料检测，可一次完成硅片厚度、总厚度变化、平整度、局部平整度、翘曲度、类型、电阻率的测试和分类，并可作图；可进行硅抛光片和外延片的表面质量分析检测，包括颗粒尺寸及数量的分类；划伤、桔皮、凹坑等表面质量的检查；利用x射线荧光光谱方法对硅抛光片和外延片的表面金属进行非破坏性检测；红外氧碳测试仪是用红外吸收法分别测定硅单晶中的间隙氧和替位碳含量，并可计算外延片的外延层厚度。中心拥有美国ThermoFisher公司Zui新型号的ElementGD辉光放电质谱仪(GDMS)，适用于金属中ppb级及其以上含量的杂质分析，可以检测5N、6N高纯铝、铜、锌、镍、钴、多晶硅中的痕量和超痕量杂质元素。

   多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。

   当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是Zui主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。

国际多晶硅主要技术特征有以下两点：

（1）多种生产工艺路线并存，产业化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。

（2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaperto liquiddeposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等