运行中的电容器的维护
1、电容器应有当班人员,应做好设备运行记录。
2、运行电容器组外观巡检,按规范规定每日进行,如发现外壳膨胀应停止使用,以免出现故障。
3、检查电容器组的每相负载可用电流表。
4、投入电容器组时,环境温度不能低于-40℃,工作环境温度1小时,平均不超过40℃,2小时平均不能超过30℃,且一年平均不能超过20℃。如果超出要求,使用人工冷却(安装风扇)或将电容器组与电网分开。
5、安装地点的温度检查和电容器外壳热温度的检查可以通过温度计等方式进行,并记录温度(尤其在夏季)。
电容器的工作电压和电流,在使用中,其额定电压不能超过1.1倍,额定电流1.3倍。
7、在接通电容器后,会造成电网电压升高,尤其是负荷较轻的情况下,应将部分电容器或所有电容器从电网中切断。
电容器壳体和支撑绝缘子表面应清洁、无损伤、无放电痕迹,电容器外壳应清洁、不变形、不渗油,电容器及铁架的表面不得有灰尘及其它污物。
什么样的可配置 BOM?
按单生产一般采用可配置 BOM (Bill Of Material),而每个订单BOM并不是固定的,此时企业就不可能为每一个销售订单所生产的产品建立不同的物料编码。为常见的是根据客户需求装配电脑,客户根据需求选择不同的配置,主板品牌、CPU、硬盘容量等参数,TE芯片原装现货清单,选好电脑 BOM后再组装电脑。BoscoERP的实施过程如下:创建销售订单时,成品的特征被提示,芯片,用户去选择相关特征,系统根据这些特征对完整的 BOM (超级BOM)进行逻辑判断(博科 ERP中称为相关性),配置 BOM满足此销售订单,此业务场景称为可配置 BOM的实现。
逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为
自从宽带隙 (WBG)器件诞生以来,为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是,在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢?迄今为止,屏蔽栅极MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 (FoM)方面不断改进,加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步,使工程师能够实现更高的系统效率。工程师坚持继续使用硅片的常见原因可能是在这方面拥有丰富的知识和经验。然而,在某些情况下,下一代电源、逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为。
在中压应用中,Renesas芯片一级代理商,英飞凌的 OptiMOS能够提供业界更佳的品质因数。开关电源(SMPS)、逆变器和电池供电马达等需要100~200V MOSFET的应用已经在使用这些高频优化器件。然而,随着人工智能 (AI)协处理器等需要巨大电流的边缘运算应用越来越广泛,对提升电源供电效率和瞬态负载响应能力提出了要求。CoolGaN可提供明显优于任何同类中压硅器件的FoM以及零反向恢复电荷,这使其成为半桥电路的选择。由于其晶体平面生长特性,使封装能够实现采用顶部散热的创新机制。在 54V输入/12V 输出的变换器中,基于 CoolGaN 的设计可提供 15A 电流,在500 kHz 开关频率时达到超过 96.5%的峰值效率。这比同等OptiMOS 5 100V在100 kHz开关频率下效率提高了1%。
总体而言,CoolGaN 和 CoolSiC 都能够提供更好的FoM,并且可实现比同类硅器件更高的效率。但是,ADI视频音频接口芯片,这些并不是需要考虑的因素,价格同样很重要,采用新技术带来的相关风险也是如此。GaN和 SiC 都具有不同的驱动和工作特性,为了充分发挥这些技术的潜力,可能还需要新的拓扑架构或控制技术。
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