真空镀膜加工平台 半导体真空镀膜实验室 河北真空镀膜

低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，真空镀膜加工平台，以及行业应用技术开发。

 真空镀膜设备选购要点分析如下：

1、炉体可选择由不锈钢、碳钢或它们的组合制成的双层水冷结构。

2、根据工艺要求选择不同规格及类型的镀膜设备，其类型有电阻蒸发、电子束蒸发、磁控溅射、磁控反应溅射、离子镀、多弧离子镀等。

3、夹具运转形式有自转、公转及公转+自转方式，用户可根据基片尺寸及形状提出相应要求，转动的速度范围及转动精度：普通可调及变频调速等。

4、真空系统由机械泵、扩散泵、油增压泵、增扩泵、罗茨泵、埚轮分子泵等及与它们相匹配的各种气动、手动、电动阀门、管道等组成。

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 “低温CVD”工艺应用范围十分广泛，我们半导体研究院在该领域拥有多年经验。对于无法承受高温的基材，PECVD工艺是极具吸引力的替代方案。例如，该工艺支持在塑料膜材上制备功能薄膜。由于高温下的扩散工艺可能会破坏掺杂剖面，PECVD镀膜工艺被广泛应用到半导体领域中。PECVD工艺也可用于制备微电子器件所需的多晶硅、氮化硅或氧化硅等多种复合材料。PECVD设备可根据客户需求定制并根据其预期工艺指标适配。我们也经常在溅射设备内配置PECVD工艺模块，拓展技术能力。

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 PECVD方法区别于其他CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激i活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，河北真空镀膜，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术被称为等离子体增强CVD。电子和离子的密度达109～1012个/cm3，平均电子能量可达1～10eV。成膜过程在真空中进行，大约在5～500Pa范围内。由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其他CVD在700℃～950℃范围内成膜。PECVD成膜均匀，尤其适合大面积沉积。由于在氨气压条件下，提高了活性基团的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度一般可达30～300nm/min以上。

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